دو شرکت اینتل و Micron در پی انعقاد قرارداد جدید، فناوری جدیدی را برای افزایش قابل ملاحظه ظرفیت داخلی حافظه های فلش و USB ارایه می دهند.

به گزارش فارس به نقل از ای ویک، شرکت اینتل اوایل هفته جاری اعلام کرده بود که مشکل موجود در حافظه جامد 34 نانومتری X25-M خود که فناوری آن مشابه فناوری حافظه های فلش است را از بین برده است.
حفره موجود در این حافظه جامد باعث ایجاد اختلال برای آن دسته از کاربرانی می شد که از رمزعبور BIOS استفاده می کردند که هم اکنون وصله مربوط به رفع این مشکل به صورت رایگان روی اینترنت ارایه شده است.
اینتل و Micron هم اکنون موفق به ساخت نسل جدیدی از حافظه های فلش NAND شده اند که در هر سلول، 3 بیت اطلاعات را مبتنی بر فناوری 34 نانومتری ذخیره می کند.
این اقدام ظرفیت داخلی حافظه های NAND که در هر سلول 2 بیت اطلاعات را ذخیره می کردند، افزایش می دهد و باعث می شود تا در آینده نزدیک کاربران به حافظه های USB با حجم های بالاتر دسترسی داشته باشند.
این افزایش ظرفیت بر اساس استانداردهای موجود ایجاد شده است و بر این اساس، مشکلی برای اطلاعات کاربران به وجود نخواهد آمد.